Pedro Castrillo Romón

Pedro Castrillo Romón

Grado en Ingeniería Civil

Grado en Ingeniería en Sistemas de Telecomunicación

Sobre mi

Soy doctor en Física. Estudié la licenciatura en la Universidad de Valladolid, hice la tesis en el IMM-CNM (CSIC) e hice la estancia postdoctoral en la Universidad de Lund (Suecia). He hecho estancias en la Universidad de Maryland y en IMDEA Materiales. Soy Profesor Titular de la Universidad de Valladolid (E.T.S.I. Telecomunicación, área de Electrónica) desde 1998 y estoy en excedencia en la UCAM desde 2013. Mi área de investigación es la Física de Materiales. De 1989 a 1998 me ocupé de las heteroestructuras semiconductoras y desde 1998 me dedico a la simulación atomística de materiales (silicio, SiGe y aleaciones metálicas). He publicado 59 artículos en revistas con índice de impacto (índice h 19). He impartido docencia en fundamentalmente en asignaturas de semiconductores y dispositivos electrónicos. En la actualidad imparto docencia también en asignaturas relacionadas con Mecánica de Materiales y en asignaturas básicas de Física y Matemáticas. Estoy involucrado en las tutorías personales (mentorías) como un servicio para la formación académica universitaria y a la autoformación en valores. Estoy interesado en temas relacionados con el diálogo entre Ciencia y Fe. Como aficiones personales, me gusta el senderismo, el atletismo de fondo, el dibujo, la música y la lectura. Soy Monitor y Coordinador de Tiempo Libre, y colaboro en la organización de campamentos y otras actividades para la educación en valores de jóvenes y adolescentes.

Formación

Licenciado en Ciencias Físicas
Programa de Doctorado en Doctor en Ciencias Físicas

Grupos de investigación

Publicaciones

  • Atomistic modeling and simulation of arsenic diffusion including mobile arsenic clusters
  • Atomistic modeling of defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures
  • Comprehensive model of damage accumulation in silicon
  • Enhanced calculation of eigen-stress field and elastic energy in atomistic interdiffusion of alloys
  • From point defects to dislocation loops: A comprehensive modelling framework for self-interstitial defects in silicon
  • Kinetic Monte Carlo simulation of phase-precipitation versus instability behavior in short period FeCr superlattices
  • Modeling charged defects, dopant diffusion and activation mechanisms for TCAD simulations using kinetic Monte Carlo.
  • Modeling of boron diffusion in silicon-germanium alloys using Kinetic Monte Carlo
  • Physical modeling and implementation scheme of native defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures for atomistic process simulation.
  • Quasi-atomistic modeling of the microstructure evolution in binary alloys and its application to the FeCr case.
  • Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency. 033203
  • The use of extended-defect dissolution as a probe for stress-induced interstitial diffusion anisotropy

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